由中國半導體行業協會、中國電子信息產業發展研究院，江蘇省工業和信息化廳以及南京江北新區管理委員會聯合主辦的2019世界半導體大會?高峰論壇于2019年5月17日在南京召開。會議揭曉了“第十三屆（2018年度）中國半導體創新產品和技術項目的評選結果”。公司IGBT團隊研發的40A、600V絕緣柵雙極型晶體管榮獲中國半導體創新產品和技術獎。
新葡京平臺微電子IGBT團隊自主開發了40A、600V絕緣柵雙極型晶體管（IGBT，型號SGT40N60NPFDPN）。SGT40N60NPFDPN是一種半導體功率器件產品，采用新一代平面柵場截止工藝技術制作，主要為高頻逆變拓撲結構（全橋、半橋、雙端正激等）應用而開發，該顆產品短路能力強，開關損耗低，且飽和壓降也可保持同行業內較低值，具有正向溫度特性，保證產品性能穩定，滿足全橋、半橋硬開關逆變拓撲的高頻化、高功率化的應用要求；廣泛應用于電焊機、切割機和UPS逆變應用領域，在行業內有較好的口碑。尤其在電焊機領域，各大焊機品牌客戶都有大量使用，市場使用反饋良好，在同規格產品中，新葡京平臺微電子SGT40N60NPFDPN的市場占有率接近70%，是絕對的焊機領域標桿產品；依托于新葡京平臺微電子成熟的工藝開發實力和生產管控能力，該顆產品的性能和質量表現穩定，市場表現優秀。
2019年世界半導體大會以“創新協作、世界同芯”為主題，吸引了半導體行業知名企業高層和行業內專家的參與。會上，與會嘉賓就應用熱點與市場機遇進行了深入的交流。
